专利名称：一种射频微机电系统器件封装热应变的测量方法专利类型：发明专利发明人：赵成,黄庆安,宋竟申请号：CN201010222856.5申请日：20100708公开号：CN101900525A公开日：20101201
摘要：本发明公开一种射频微机电系统器件封装热应变的测量方法，其特征在于：在基片的指定位置与RF MEMS器件同步制作一组或多组测试单元，所述测试单元为由高阻抗共面波导和周期性跨接其上的若干双端固支梁组成的负载传输线；利用所述负载传输线的力学特性与电学特性之间的关系确定RF MEMS器件封装热应变。本发明采用微波测量手段测量RF MEMS器件封装热应变，测试单元的制作与RF MEMS器件的制作工艺兼容，可以同步进行。
申请人：东南大学
地址：210009 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
国籍：CN
代理机构：南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人：柏尚春
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